Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: dspace.mspu.by/handle/123456789/3349
Название: Формирование решётки электрического поля в фоторефрактивном кристалле при записи интерференционной картины
Авторы: Сафронов, А. П.
Шепелевич, Василий Васильевич
Ключевые слова: Физика
Формирование решетки
Электрическое поле
Фоторефрактивные кристаллы
Дата публикации: 27-мар-2018
Издатель: Мозырь : МГПУ им. И. П. Шамякина
Аннотация: Основную роль в развитии процессов в фоторефрактивных кристаллах играют электроны, «выбитые» из атомов доноров световыми квантами – фотонами. Влиять на количество свободных электронов в кристалле могут в основном только положительно заряженные «ловушки», то есть атомы доноров, из которых «вырваны» электроны.
Описание: Сафронов, А. П. Формирование решётки электрического поля в фоторефрактивном кристалле при записи интерференционной картины / А. П. Сафронов, В. В. Шепелевич // Инновационные технологии обучения физико-математическим и профессионально-техническим дисциплинам = Інавацыйныя тэхналогіі навучання фізіка-матэматычным і прафесійна-тэхнічным дысцыплінам = Innovative teaching techniques in physics, mathematics, vocational and mechanical training : материалы X Юбилейной Международной научно-практической интернет-конференции, Мозырь, 27—30 марта 2018 г. / Министерство образования Республики Беларусь, Учреждение образования «Мозырский государственный педагогический университет имени И. П. Шамякина» ; [редколлегия: Е. М. Овсиюк (ответственный редактор) и др.]. — Мозырь : МГПУ им. И. П. Шамякина, 2018. — С. 71—73.
URI: dspace.mspu.by/handle/123456789/3349
ISBN: 978-985-477-643-9
Располагается в коллекциях:Материалы конференций

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Сафронов, А. П., Шепелевич, В. В. Формирование решётки.pdf521,72 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.